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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | - | |
| 拉电流(IOH) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | - | |
| 上升时间(tr) | 8ns | |
| 下降时间(tf) | 7ns | |
| 特性 | - | |
| 工作温度 | - |
商品概述
一款系列高频N通道MOSFET驱动器，包括一个自举二极管和具有旨在实现最大的控制灵活性具有独立输入的高侧/低侧驱动器。这可在半桥式、全桥式、两开关正激式和有源钳位正激式转换器中实现N通道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了至1ns的匹配。运用了一种增强型ESD输入结构，而且能够在其HS引脚上耐受－18V（最大值）的电压。
商品特性
- 驱动两个高端/低端配置的N通道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
- 最大引导电压
- 最大VDD电压
- 片载RD自举二极管
- 针对高侧和低侧驱动器的欠压闭锁
应用领域
- 针对电信、数据通信和商业市场的电源
- 半桥式应用和全桥式转换器
- 隔离式总线架构
- 两开关正激式转换器
- 有源钳位正激式转换器
- 高压同步降压型转换器
- D类音频放大器
交货周期
订货125-127个工作日购买数量
(40个/管，最小起订量 250 个)个
起订量：250 个40个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单