ISL89165FRTBZ
ISL89165FRTBZ
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- ISL89165FRTBZ
- 商品编号
- C1549649
- 商品封装
- TDFN-8-EP(3x3)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | - | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 6A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 6A | |
| 工作电压 | 4.5V~16V | |
| 上升时间(tr) | 20ns | |
| 下降时间(tf) | 20ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
ISL89163、ISL89164和ISL89165是高速、6A双通道MOSFET驱动器,带有使能输入。 所有逻辑输入上的精确阈值允许使用外部RC电路,在主通道输入INA和INB以及使能输入ENA和ENB上产生准确且稳定的时间延迟。这些精确逻辑阈值能够实现的精确延迟,使这些器件在死区时间控制和同步整流器应用中非常有价值。注意,使能和输入逻辑输入可以互换,以实现不同的逻辑功能。 提供三种输入逻辑阈值:3.3V(CMOS)、5.0V(CMOS或TTL兼容)以及与VDD成比例的CMOS阈值。 在高开关频率下,这些MOSFET驱动器仅使用极少量的内部偏置电流。采用独立的、非重叠的驱动电路来驱动每个CMOS输出FET,以防止输出级出现直通电流。 启动序列的设计可防止在VDD开启或关闭时出现意外的干扰。当VDD < ~1V时,输出与地之间的内部10kΩ电阻有助于保持输出电压为低电平。当~1V < VDD <欠压锁定(UVLO)时:由于逻辑输入被忽略,两个输出以极低的电阻被拉低,这确保了被驱动的FET处于关断状态。当VDD > UVLO,经过短暂延迟后,输出开始响应逻辑输入。
商品特性
- 双输出,6A峰值电流,可并联使用
- 双与输入逻辑(输入和使能)
- 典型导通电阻 < 1Ω
- 规定了米勒平台驱动电流
- 极低的热阻(θJC = 3℃/W)
- 3.3V CMOS、5V CMOS、TTL的迟滞输入逻辑电平,以及与VDD成比例的逻辑电平
- 带有外部RC元件的精确阈值输入,用于产生时间延迟
- 驱动10nF负载时,上升和下降时间为20ns。
应用领域
- 同步整流器(SR)驱动器
- 开关模式电源
- 电机驱动器、D类放大器、UPS、逆变器
- 脉冲变压器驱动器
- 时钟/线路驱动器
优惠活动
购买数量
(100个/管,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个100个/管
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