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ISL6605IRZ

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品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: ISL6605IRZ
商品编号: C1549656
商品封装: QFN-8-EP(3x3)
包装方式: 管装
商品毛重: 0.001克(g)

商品参数

商品概述

ISL6605是一款高频MOSFET驱动器，针对同步整流降压转换器拓扑中驱动两个N沟道功率MOSFET进行了优化。该驱动器与Intersil HIP63xx或ISL65xx多相降压PWM控制器相结合，可为先进微处理器形成一个完整的单级核心电压调节器解决方案，在高开关频率下具备高效性能。该IC由单一低压电源（5V）偏置，可将高MOSFET栅极电容和高开关频率应用中的低驱动器开关损耗降至最低。每个驱动器能够驱动3000pF负载，传播延迟为8ns，过渡时间小于10ns。该产品通过内部自举肖特基二极管在上栅极实现自举，降低了实施成本和复杂度，并允许使用更高性能、更具成本效益的N沟道MOSFET。集成了自适应直通保护功能，以防止两个MOSFET同时导通。 ISL6605的下栅极驱动器典型灌电流为4A，能够在相位节点上升沿期间保持下MOSFET栅极，以防止因相位节点的高dv/dt导致的直通功率损耗。 ISL6605还具备三态PWM输入，与Intersil多相PWM控制器协同工作，可在输出关闭时防止输出电压出现负瞬变。此功能省去了微处理器电源系统中通常用于保护微处理器免受输出电压反向损坏的肖特基二极管。

商品特性

驱动两个N沟道MOSFET
自适应直通保护
0.4Ω导通电阻和4A灌电流能力
支持高开关频率 - 快速输出上升和下降时间 - 超低传播延迟8ns
用于功率级关断的三态PWM输入
内部自举肖特基二极管
低偏置电源电流（5V，30μA）
使能输入
QFN封装 - 符合JEDEC PUB95 MO - 220 QFN（四方扁平无引脚）产品外形。 - 接近芯片级封装尺寸；提高PCB效率并降低外形厚度。
提供无铅加退火版本（符合RoHS标准）

应用领域

英特尔和AMD微处理器的核心电压电源
高频薄型DC/DC转换器
大电流低压DC/DC转换器
隔离电源的同步整流

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	-
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	4A

	属性	参数值
	拉电流(IOH)	2A
	工作电压	4.5V~5.5V
	上升时间(tr)	8ns
	下降时间(tf)	8ns
	工作温度	-40℃~+85℃