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ISL2111BR4Z

100V、3A/4A 峰值、高频半桥驱动器

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描述: ISL2110、ISL2111是100V高频半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。它们基于广受欢迎的HIP2100、HIP2101半桥驱动器，但在性能上有多处改进。峰值输出上拉/下拉电流已提升至3A/4A，这显著降低了开关功率损耗，并且在许多应用中无需使用外部图腾柱缓冲器
品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: ISL2111BR4Z
商品编号: C1549615
商品封装: DFN-8-EP(4x4)
包装方式: 管装
商品毛重: 0.22克(g)

商品参数

商品概述

ISL2110、ISL2111是100V高频半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。它们基于广受欢迎的HIP2100、HIP2101半桥驱动器，但在性能上有多项提升。峰值输出上拉/下拉电流提升至3A/4A，显著降低了开关功率损耗，且在许多应用中无需外部图腾柱缓冲器。此外，vDD工作电源范围的低端扩展至8VDC。ISL2110具有额外的输入迟滞功能，可在嘈杂环境中实现卓越运行，而ISL2111的输入与ISL2110一样，现在可安全地摆动至vDD电源轨。

商品特性

驱动N沟道MOSFET半桥
提供SOIC、DFN和TDFN封装选项
SOIC、DFN和TDFN封装符合IPC - 2221规定的100V导体间距准则
无铅（符合RoHS标准）
自举电源最大电压达114VDC
片上集成1W自举二极管
适用于多MHz电路的快速传播时间
驱动1nF负载时，典型上升/下降时间为9ns/7.5ns
CMOS兼容输入阈值（ISL2110）
3.3V/TTL兼容输入阈值（ISL2111）
独立输入提供灵活性
无启动问题
输出不受电源毛刺、高压侧低于地电位的振铃或高压侧高dv/dt摆幅的影响
低功耗
宽电源电压范围（8V至14V）
电源欠压保护
典型输出上拉/下拉电阻为1.6W/1W

应用领域

电信半桥DC/DC转换器
电信全桥DC/DC转换器
双开关正激转换器
有源钳位正激转换器
D类音频放大器

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	4A
	拉电流(IOH)	3A

	属性	参数值
	工作电压	8V~14V
	上升时间(tr)	9ns
	下降时间(tf)	7.5ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	静态电流(Iq)	300uA