商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | IGBT；MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 270mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 170mA | |
| 工作电压 | 10V~16.6V | |
| 上升时间(tr) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
| 高压侧电压-最大值（自举） | 600V |
| 安装类型 | 通孔 |
| 驱动配置 | 半桥 |
| 输入类型 | RC 输入电路 |
| 通道类型 | 同步 |
| 驱动器数 | 2 |
| 栅极类型 | IGBT，N 沟道 MOSFET |
| 电流-峰值输出（灌入，拉出） | 170mA，270mA |
| 封装/外壳 | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 供应商器件封装 | 8-迷你型 DIP |
| 上升/下降时间（典型值） | - |
| 电压-供电 | 10V ~ 16.6V |
| 逻辑电压?-VIL，VIH | - |
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