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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边 | |
| 负载类型 | IGBT；MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 2A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 2A | |
| 工作电压 | 4.5V~35V | |
| 上升时间(tr) | 7.5ns | |
| 下降时间(tf) | 6.5ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
双高速栅极驱动器特别适合驱动最新的MOSFET和IGBT。两个输出端中的每一个都能提供和吸收2A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于10ns。每个驱动器的输入与CMOS兼容，并且几乎不会发生闩锁效应。专有电路可消除交叉导通和电流“直通”现象。低传播延迟以及快速且匹配的上升和下降时间，使该系列产品非常适合高频和高功率应用。
商品特性
- 2A峰值源极/漏极驱动电流
- 宽工作电压范围：4.5V至35V
- 扩展工作温度范围：-40℃至+125℃
- 逻辑输入可承受高达5V的负摆幅
- 输出端可并联以获得更高的驱动电流
- 匹配的上升和下降时间
- 低传播延迟时间
- 低至10μA的电源电流
- 低输出阻抗
应用领域
- 高效功率MOSFET和IGBT开关
- 开关模式电源
- 电机控制
- DC-DC转换器
- D类开关放大器
- 脉冲变压器驱动器
交货周期
订货15-17个工作日购买数量
(1000个/管，最小起订量 1000 个)个
起订量：1000 个1000个/管
总价金额：
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