L6498LD

L6498是一款采用BCD6 “离线”技术制造的高压器件。它是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。 高端（浮动）部分设计用于承受高达500 Vi的直流电压轨，瞬态耐压为600 V。逻辑输入与低至3.3 V的CMOS/TTL兼容，便于与微控制器或DSP等控制单元接口。 该器件的两个输出端灌电流能力为2.5 A，拉电流能力为2 A，这使得L6498特别适用于中大容量的功率MOSFET/IGBT。 由于集成了互锁功能，输出端不会同时被驱动为高电平。 上下驱动部分均设有独立的欠压锁定（UVLO）保护电路，可防止功率开关在低效率或危险条件下工作。 集成的自举二极管以及该驱动器的所有集成特性，使应用PCB设计更简单、更紧凑，并有助于降低总体物料成本。

• 瞬态耐压600 V，全温度范围内dV/dt抗扰度± 50 V/ns
• 驱动器电流能力：
  • 25 ℃时典型拉电流2 A
  • 25 ℃时典型灌电流2.5 A
• 短传播延迟：85 ns
• 带1 nF负载时，开关时间上升/下降为25 ns
• 带迟滞的3.3 V、5 V TTL/CMOS输入
• 集成自举二极管
• 互锁功能
• 高端和低端部分均有欠压锁定（UVLO）
• 布局紧凑且简化
• 降低物料成本
• 设计灵活、简便、快速

• 家用电器、工厂自动化、工业驱动器和风扇的电机驱动器
• 高强度气体放电（HID）镇流器
• 电源装置
• DC-DC转换器
• 感应加热
• 无线充电器
• 工业逆变器
• 不间断电源（UPS）焊接