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HIP4086AABZ实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HIP4086AABZ

HIP4086AABZ

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商品型号
HIP4086AABZ
商品编号
C1549560
商品封装
SOIC-24-300mil​
包装方式
管装
商品毛重
0.001克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置三相
负载类型MOSFET
属性参数值
工作电压7V~15V
下降时间(tf)10ns
工作温度-40℃~+125℃

商品概述

HIP4086和HIP4086A(简称HIP4086/A)是三相N沟道MOSFET驱动器。这两款器件专门针对PWM电机控制应用。这些驱动器具有灵活的输入协议,可驱动各种可能的开关组合。用户甚至可以在开关磁阻应用中禁用直通保护。 HIP4086/A具有广泛的可编程死区时间(0.5µs至4.5µs),这使其非常适合电机驱动通常使用的低频(最高100kHz)应用。 HIP4086和HIP4086A之间的唯一区别在于,HIP4086A禁用了内置电荷泵。这在需要极低EMI性能的应用中非常有用(电荷泵工作频率为10MHz)。HIP4086的优势在于,内置电荷泵允许高端驱动器实现无限长的导通时间。 为确保高端驱动器自举电容在导通前完全充电,在首次施加VDD时会激活可编程自举刷新脉冲。激活时,刷新脉冲会导通所有三个低端桥FET,同时关断三个高端桥FET,以对高端自举电容充电。刷新脉冲结束后,开始正常工作。 HIP4086/A的另一个实用特性是可编程欠压设定点。设定点范围从6.6V到8.5V不等。

商品特性

  • 以三相桥配置独立驱动6个N沟道MOSFET
  • 自举电源最大电压高达95VDC,偏置电源范围为7V至15V
  • 1.25A峰值关断电流
  • 用户可编程死区时间(0.5µs至4.5µs)
  • 自举和可选电荷泵维持高端驱动器偏置电压
  • 可编程自举刷新时间
  • 驱动1000pF负载,典型上升时间为20ns,下降时间为10ns
  • 可编程欠压设定点

应用领域

  • 无刷电机(BLDC)
  • 三相交流电机
  • 开关磁阻电机驱动器
  • 电池供电车辆
  • 电池供电工具

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