HIP4086AABZ
HIP4086AABZ
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- HIP4086AABZ
- 商品编号
- C1549560
- 商品封装
- SOIC-24-300mil
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 三相 | |
| 负载类型 | MOSFET |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 7V~15V | |
| 下降时间(tf) | 10ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
HIP4086和HIP4086A(简称HIP4086/A)是三相N沟道MOSFET驱动器。这两款器件专门针对PWM电机控制应用。这些驱动器具有灵活的输入协议,可驱动各种可能的开关组合。用户甚至可以在开关磁阻应用中禁用直通保护。 HIP4086/A具有广泛的可编程死区时间(0.5µs至4.5µs),这使其非常适合电机驱动通常使用的低频(最高100kHz)应用。 HIP4086和HIP4086A之间的唯一区别在于,HIP4086A禁用了内置电荷泵。这在需要极低EMI性能的应用中非常有用(电荷泵工作频率为10MHz)。HIP4086的优势在于,内置电荷泵允许高端驱动器实现无限长的导通时间。 为确保高端驱动器自举电容在导通前完全充电,在首次施加VDD时会激活可编程自举刷新脉冲。激活时,刷新脉冲会导通所有三个低端桥FET,同时关断三个高端桥FET,以对高端自举电容充电。刷新脉冲结束后,开始正常工作。 HIP4086/A的另一个实用特性是可编程欠压设定点。设定点范围从6.6V到8.5V不等。
商品特性
- 以三相桥配置独立驱动6个N沟道MOSFET
- 自举电源最大电压高达95VDC,偏置电源范围为7V至15V
- 1.25A峰值关断电流
- 用户可编程死区时间(0.5µs至4.5µs)
- 自举和可选电荷泵维持高端驱动器偏置电压
- 可编程自举刷新时间
- 驱动1000pF负载,典型上升时间为20ns,下降时间为10ns
- 可编程欠压设定点
应用领域
- 无刷电机(BLDC)
- 三相交流电机
- 开关磁阻电机驱动器
- 电池供电车辆
- 电池供电工具
优惠活动
购买数量
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起订量:1 个30个/管
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