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L6398D
高压高端和低端驱动器
- 描述
- L6398是一款采用BCD“离线”技术制造的高压器件。它是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。高端（浮动）部分设计用于承受高达600 V的电压轨
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- L6398D
- 商品编号
- C1549303
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.194克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | IGBT；MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 430mA | |
| 拉电流(IOH) | 290mA | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 75ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 35ns | |
| 传播延迟 tpLH | 125ns | |
| 传播延迟 tpHL | 125ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 1.9V~2.25V | |
| 输入低电平(VIL) | 800mV~1.1V | |
| 静态电流(Iq) | 440uA |
商品概述
L6398是一款采用BCD“离线”技术制造的高压器件。它是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。 高端（浮动）部分设计可承受高达600 V的电压轨。逻辑输入与CMOS/TTL兼容，低至3.3 V，便于与微控制器/DSP接口。
商品特性
- 高达600 V的高压轨
- 在全温度范围内dV/dt抗扰度 ± 50 V/ns
- 驱动器电流能力：
- 源电流290 mA
- 灌电流430 mA
- 带1 nF负载时，上升/下降时间为75/35 ns
- 带迟滞的3.3 V、5 V TTL/CMOS输入比较器
- 集成自举二极管
- 固定320 ns死区时间
- 互锁功能
- 紧凑且简化的布局
- 减少物料清单
- 灵活、简便且快速的设计
应用领域
- 家用电器、工厂自动化、工业驱动器和风扇的电机驱动器。
交货周期
订货10-14个工作日购买数量
(100个/管，最小起订量 294 个)个
起订量：294 个100个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单