LM5109BMA/NOPB
LM5109BMA/NOPB
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- 描述
- LM5109B 具有 8V UVLO 和高噪声抗扰度的 1A、100V 半桥栅极驱动器
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- LM5109BMA/NOPB
- 商品编号
- C1549317
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.175克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 峰值灌电流 | 1A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 峰值拉电流 | 1A | |
| 电源电压 | 8V~14V | |
| 上升时间 | 15ns | |
| 下降时间 | 15ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃@(Tj) |
商品概述
LM5109B器件是一款经济高效的高电压栅极驱动器，专为驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧N沟道MOSFET而设计。悬空高侧驱动器能够在高达90V的电源轨电压下工作。输出通过经济高效的TTL和CMOS兼容输入阈值独立控制。稳健可靠的电平转换技术同时拥有高运行速度和低功耗特性，并且可提供从控制输入逻辑到高侧栅极驱动器的干净电平转换。该器件在低侧和高侧电源轨上提供了欠压锁定功能。该器件采用8引脚SOIC和耐热增强型8引脚WSON封装。
商品特性
- 可驱动高侧和低侧N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
- 1A峰值输出电流（1.0A灌电流和1.0A拉电流）
- 与独立的晶体管 - 晶体管逻辑电路(TTL)和互补金属氧化物半导体(CMOS)兼容的输入
- 自举电源电压高达108VDC
- 短暂传播时间（典型值为30ns）
- 可以15ns的上升和下降时间驱动1000pF负载
- 优异的传播延迟匹配（典型值为2ns)
- 支持电源轨欠压锁定
- 低功耗
- 8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)和耐热增强型8引脚晶圆级小外形无引线(WSON)封装
应用领域
- 电流反馈推挽式转换器
- 半桥和全桥电源转换器
- 固态电机驱动器
- 双开关正激电源转换器
优惠活动
购买数量
(95个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个95个/管
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