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HIP4080AIBZ实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HIP4080AIBZ

80V/2.5A峰值,高频全桥FET驱动器

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描述
HIP4080A 是一款高频、中压全桥 N 沟道 FET 驱动集成电路,有 20 引脚塑料 SOIC 和 DIP 封装可选。HIP4080A 包含一个输入比较器,用于实现“迟滞”和 PWM 工作模式。其 HEN(高使能)引脚可使电流在底部两个外部功率 MOSFET 中续流,同时保持上部功率 MOSFET 关断
商品型号
HIP4080AIBZ
商品编号
C1549340
商品封装
SO-20-300mil​
包装方式
管装
商品毛重
0.58克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置全桥
负载类型MOSFET
驱动通道数4
灌电流(IOL)19mA
拉电流(IOH)3mA
属性参数值
工作电压9.5V~15V
上升时间(tr)10ns
下降时间(tf)10ns
特性欠压保护(UVP)
工作温度-40℃~+85℃
静态电流(Iq)25uA

商品概述

HIP4080A是一款高频、中压全桥N沟道FET驱动IC,提供20引脚塑料SOIC和DIP封装。HIP4080A包含一个输入比较器,用于实现“迟滞”和PWM工作模式。其HEN(高端使能)引脚可强制电流在底部两个外部功率MOSFET中续流,使上部功率MOSFET保持关断状态。由于它能够以高达1MHz的频率进行开关操作,因此HIP4080A非常适合驱动音圈电机、开关功率放大器和电源。HIP4080A还可以驱动中压有刷电机,并且两个HIP4080A可用于驱动高性能步进电机,因为其极短的最小“导通时间”可提供精细的微步驱动能力。约55ns的短传播延迟可最大化控制环路的交叉频率,死区时间可调节至接近零以最小化失真,从而实现对驱动负载的精确控制。

商品特性

  • 驱动N沟道FET全桥,具备高端斩波能力
  • 自举电源最大电压达95VDC
  • 在+50℃的自由空气中,以1MHz的频率驱动1000pF负载,典型上升和下降时间为10ns
  • 用户可编程死区时间
  • 电荷泵和自举电路维持高端偏置电源
  • DIS(禁用)引脚将栅极拉低
  • 输入逻辑阈值与5V至15V逻辑电平兼容
  • 极低功耗
  • 欠压保护
  • 无铅(符合RoHS标准)

应用领域

  • 中/大型音圈电机
  • 全桥电源
  • 开关功率放大器
  • 高性能电机控制
  • 噪声消除系统
  • 电池供电车辆
  • 外设
  • 不间断电源

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