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HIP2100EIBZ

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品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: HIP2100EIBZ
商品编号: C1549402
商品封装: SOIC-8-EP
包装方式: 管装
商品毛重: 0.001克(g)

商品参数

商品概述

HIP2101是一款高频、100V半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。它与HIP2100相当，额外优势是具备完全兼容TTL/CMOS的逻辑输入引脚。低端和高端栅极驱动器独立控制，匹配时间为13ns。这让用户能完全控制特定功率电路拓扑的死区时间。低端和高端电源的欠压保护会强制输出为低电平。片上二极管省去了其他驱动IC所需的分立二极管。全新的电平转换器拓扑结合了脉冲操作的低功耗优势与直流操作的安全性。与部分竞争对手不同，高端电源短暂欠压后，高端输出能恢复到正确状态。

商品特性

驱动N沟道MOSFET半桥
提供SOIC、EPSOIC、QFN和DFN封装选项
SOIC、EPSOIC和DFN封装符合IPC - 2221的100V导体间距指南
提供无铅产品（符合RoHS标准）
自举电源最大电压达114VDC
片上集成1Q自举二极管
适用于多MHz电路的快速传播时间
驱动1000pF负载时，典型上升和下降时间为10ns
TTL/CMOS输入阈值增加了灵活性
非半桥拓扑的独立输入
无启动问题
输出不受电源毛刺、高端低于地电位的振铃或高dv/dt下高端转换的影响
低功耗
宽电源范围
电源欠压保护
3Q输出驱动电阻
QFN/DFN封装： - 符合JEDEC PUB95 MO - 220 QFN（四方扁平无引脚）封装外形 - 接近芯片级封装尺寸，提高了PCB效率，且外形更薄

应用领域

电信半桥电源
双开关正激转换器
有源钳位正激转换器

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	2A

	属性	参数值
	拉电流(IOH)	2A
	工作电压	9V~14V
	上升时间(tr)	10ns
	下降时间(tf)	10ns
	工作温度	-40℃~+125℃