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IRS2005SPBF

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描述: 是一种高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达200V。传播延迟匹配，简化了HVIC在高频应用中的使用。
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IRS2005SPBF
商品编号: C1549355
商品封装: SOIC-8
包装方式: 管装
商品毛重: 0.001克(g)

商品参数

商品概述

IRS2005是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT，最高工作电压可达200V。传播延迟经过匹配，便于HVIC在高频应用中使用。

商品特性

每通道栅极驱动电源最高可达20V
VCC、VBS欠压锁定
兼容3.3V、5V、15V输入逻辑
耐受负瞬态电压
专为自举电源设计
传播延迟匹配
输出与输入同相
工作温度范围为-40℃至125℃，符合RoHS标准

应用领域

家电电机驱动器
伺服驱动器
微型逆变器驱动器
通用三相逆变器

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	IGBT；MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	600mA

	属性	参数值
	拉电流(IOH)	290mA
	工作电压	10V~20V
	上升时间(tr)	70ns
	下降时间(tf)	30ns
	工作温度	-40℃~+150℃@(Tj)