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ISL78420AVEZ

具有三电平PWM输入和可调死区时间的100V、2A峰值半桥驱动器

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描述: ISL78420是一款具备三电平PWM输入的100V、2A高频半桥NMOS FET驱动器。其工作电源范围为8V至14V，并集成了高端自举偏置，支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。该驱动器设计用于与ISL78220和ISL78225“多相交错式升压PWM控制器”以及ISL78226“六相12V/48V双向同步PWM控制器”配合使用
品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: ISL78420AVEZ
商品编号: C1549366
商品封装: HTSSOP-14-EP
包装方式: 管装
商品毛重: 0.13克(g)

商品参数

商品概述

ISL78420是一款100V、2A高频半桥NMOS FET驱动器，具备三电平PWM输入。其工作电源范围为8V至14V，集成了高端自举偏置，支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。该驱动器设计用于与ISL78220和ISL78225“多相交错升压PWM控制器”以及ISL78226“六相12V/48V双向同步PWM控制器”配合使用。它也可用于需要标准半桥驱动器的应用中。该驱动器具有可编程死区时间，以确保高端和低端MOSFET之间实现先断后通操作。使用一个电阻可将死区时间设置为35ns至220ns。 PWM引脚的三电平输入允许通过单个引脚控制高端和低端驱动器。当PWM输入为逻辑高电平时，高端桥接FET导通，低端FET关断。当输入为逻辑低电平时，低端桥接FET导通，高端FET关断。当输入电压处于中间电平状态时，高端和低端桥接FET均关断。使能引脚（EN）为低电平时，两个桥接FET也会关断。当驱动ISL78420的控制器不使用三电平输出时，可以使用该EN输入。PWM和EN逻辑输入均能耐受vDD电压。 ISL78420采用14引脚HTSSOP封装，符合IPC - 2221标准的100V导体间距要求。该器件通过了-40℃至+125℃温度范围的汽车级AEC - Q100认证。

商品特性

自举电源最大电压114VDC
用于100V半桥NMOS FET的2A灌拉电流驱动器
可编程死区时间可防止直通；使用单个电阻可将其调节为35ns至220ns
独特的三电平PWM输入逻辑，在使用多相PWM控制器（如ISL78220/225/226）时可实现相位削减
片上1Ω（动态）自举二极管
带1000pF负载时，上升和下降时间为10ns
工作电压范围8V至14V
VDD和自举电源欠压锁定（UVLO）
14引脚HTSSOP封装，符合IPC - 2221标准的100V导体间距指南
通过AEC - Q100认证

应用领域

汽车应用
12V/48V双向转换器（ISL78226）
多相升压（ISL78220/225）
D类放大器

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	2A
	拉电流(IOH)	2A
	工作电压	8V~14V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	10ns
	下降时间(tf)	10ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	3.6V~4V
	静态电流(Iq)	650uA