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MIC5013YM实物图
  • MIC5013YM商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MIC5013YM

受保护的高低侧MOSFET驱动器

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描述
是一款带有过流关断和故障标志的8引脚MOSFET驱动器,旨在驱动N沟道功率MOSFET的栅极,适用于高于电源轨的高端功率开关应用。该驱动器与标准或电流感应功率MOSFET在高端和低端驱动拓扑中兼容。可在60μs(典型值)内对1nF负载进行充电,并保护MOSFET免受过流情况影响。电流感应跳变点完全可编程,动态阈值允许启动高浪涌电流负载。当因电流过大而关闭FET时,故障引脚会发出指示。
商品型号
MIC5013YM
商品编号
C1549385
商品封装
SOIC-8​
包装方式
管装
商品毛重
0.001克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置低边;高边
负载类型MOSFET
驱动通道数1
灌电流(IOL)-
工作电压7V~32V
属性参数值
上升时间(tr)60us
下降时间(tf)4us
特性过流保护(OCP)
工作温度-40℃~+85℃@(Ta)
静态电流(Iq)100nA

商品概述

MIC5013是一款8引脚MOSFET驱动器,具备过流关断和故障标志功能。它专为在高端电源开关应用中驱动N沟道功率MOSFET的栅极,使其电压高于电源轨而设计。MIC5013在高端和低端驱动拓扑中均与标准或电流感应功率MOSFET兼容。 MIC5013通常能在60µs内对1nF负载进行充电,并能保护MOSFET免受过流情况影响。电流感应触发点可完全编程,动态阈值允许启动具有高浪涌电流的负载。当MIC5013因电流过大而关断FET时,故障引脚会发出指示信号。

商品特性

  • 7V至32V工作电压
  • “关断”状态下待机电流小于1µA
  • 提供小外形SOIC封装
  • 内置电荷泵,可驱动N沟道功率FET的栅极电压高于电源电压
  • 内置齐纳钳位用于栅极保护
  • 典型导通时间为60µs,达到50%栅极过驱动
  • 可编程过流感应
  • 针对高浪涌负载的动态电流阈值
  • 故障输出引脚指示电流故障
  • 可实现高端或低端开关

应用领域

  • 灯具驱动器
  • 继电器和螺线管驱动器
  • 加热器开关
  • 电源总线开关
  • 运动控制

数据手册PDF

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