UCC27211D
120V升压、4A峰值电流的高频高侧/低侧驱动器
- 描述
- 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 4A、120V 半桥栅极驱动器 8-SOIC -40 to 140
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- UCC27211D
- 商品编号
- C1549388
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.175克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 4A | |
| 拉电流(IOH) | 4A | |
| 工作电压 | 8V~17V | |
| 上升时间(tr) | 7.2ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 5.5ns | |
| 传播延迟 tpLH | 17ns | |
| 传播延迟 tpHL | 17ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+140℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 1.9V~2.8V | |
| 输入低电平(VIL) | 1.3V~2.1V | |
| 静态电流(Iq) | 85uA |
商品概述
UCC27210 和UCC27211 驱动器基于广受欢迎的UCC27200 和UCC27201 MOSFET 驱动器,但性能显著提升。峰值输出上拉和下拉电流提高至4A 拉电流和4A 灌电流,上拉和下拉电阻减小至0.9Ω,可在MOSFET 的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。输入结构能直接处理-10 VDC,提高了稳健耐用性,无需使用整流二极管即可与栅极驱动变压器直接对接。这些输入与电源电压无关,且具有20V 的最大额定值。 UCC2721x 的开关节点(HS 引脚)最高可处理-18V 电压,保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。UCC27210(伪CMOS 输入)和UCC27211(TTL 输入)增加了滞后特性,增强了到模拟或数字脉宽调制(PWM) 控制器接口的抗扰度。 低侧和高侧栅极驱动器独立控制,彼此的接通和关断之间实现了2ns 的延迟匹配。 芯片上集成了额定电压为120V 的自举二极管,无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能,可提供对称的导通和关断行为,能在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低电平。 两款器件均提供8 引脚SOIC (D)、PowerPAD SOIC-8 (DDA)、4mm×4mm SON-8 (DRM) 和SON-10 (DPR) 封装。
商品特性
- 可通过独立输入驱动两个采用高侧/低侧配置的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
- 最大引导电压120V 直流
- 4A 吸收,4A 源输出电流
- 0.9Ω 上拉和下拉电阻
- 输入引脚能够耐受-10V 至20V 的电压,并且与电源电压范围无关
- 晶体管-晶体管逻辑电路(TTL) 或伪CMOS 兼容输入版本
- 8V 至17V VDD 运行范围(绝对最大值20V)
- 7.2ns 上升时间和5.5ns 下降时间(采用1000pF负载时)
- 短暂传播延迟时间(典型值18ns)
- 2ns 延迟匹配
- 用于高侧和低侧驱动器的对称欠压锁定功能
- 可提供全部行业标准封装(小外形尺寸集成电路(SOIC)-8 封装,PowerPAD SOIC-8 封装,4mm×4mm SON-8 封装以及4mm×4mm SON-10 封装)
- -40°C 至 140°C 的额定温度范围
应用领域
- 针对电信,数据通信和商用的电源
- 半桥和全桥转换器
- 推挽转换器
- 高电压同步降压转换器
- 两开关正激式转换器
- 有源箝位正激式转换器
- D 类音频放大器
交货周期
订货3-5个工作日购买数量
(1个/管,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个1个/管
总价金额:
¥ 0.00近期成交1单
