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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

L6384ED

高压半桥驱动器

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描述
带自举二极管的高压高低侧驱动器
商品型号
L6384ED
商品编号
C1549316
商品封装
SOP-8​
包装方式
管装
商品毛重
0.16克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型IGBT;MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)650mA
拉电流(IOH)400mA
工作电压11.5V~14.6V
属性参数值
上升时间(tr)50ns
下降时间(tf)30ns
传播延迟 tpLH200ns
传播延迟 tpHL250ns
特性欠压保护(UVP);过压保护(OVP)
工作温度-45℃~+125℃
静态电流(Iq)380uA

商品概述

L6384E是一款高压栅极驱动器,能够驱动功率MOSFET或IGBT器件组成的半桥电路。高端(浮动)部分能够在高达600 V的电压轨下工作。由于采用单输入配置,两个器件输出端分别可吸收和提供650 mA和400 mA的电流,且不会同时被驱动至高电平。死区时间功能可进一步防止输出端出现交叉导通,用户可通过连接到DT/SD引脚的外部电阻对其进行调节。

L6384E器件有一个输入引脚、一个使能引脚(DT/SD)和两个输出引脚,可确保低端和高端部分之间的延迟匹配,从而简化器件的高频操作。逻辑输入与CMOS/TTL兼容,便于与控制设备接口。自举二极管集成在器件内部,可实现更紧凑、可靠的解决方案。

L6384E具备欠压锁定(UVLO)保护功能,并在VCC电源电压上设有电压钳位。电压钳位通常约为15.6 V,当VCC电源电压上升过慢或出现电压下降时,该功能有助于确保器件正常工作。

该器件提供DIP - 8管装、SO - 8管装以及卷带封装等多种选择。

商品特性

  • 高达600 V的高压轨
  • 在全温度范围内dV/dt抗扰度为±50 V/nsec
  • 驱动器电流能力:源电流400 mA,灌电流650 mA
  • 带1 nF负载时,上升/下降时间为50/30 nsec
  • 具有迟滞和下拉功能的CMOS/TTL施密特触发输入
  • 关断输入
  • 死区时间设置
  • 欠压锁定
  • 集成自举二极管
  • VCC电压钳位
  • 提供DIP - 8/SO - 8封装

应用领域

  • 家用电器
  • 感应加热
  • 暖通空调(HVAC)
  • 工业应用与驱动器
  • 电机驱动器——直流、交流、永磁直流和永磁交流电机
  • 照明应用
  • 工厂自动化
  • 电源系统

数据手册PDF

优惠活动

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(92个/管,最小起订量 1 个)
起订量:1 个92个/管

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