L6389ED
L6389ED
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描述
高压高侧和低侧驱动器
- 品牌名称ST(意法半导体)
商品型号
L6389ED商品编号
C1549545商品封装
SOIC-8包装方式
管装
商品毛重
0.244克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
驱动配置 | 半桥 | |
负载类型 | MOSFET;IGBT | |
驱动通道数 | 2 | |
灌电流(IOL) | 650mA |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
拉电流(IOH) | 400mA | |
工作电压 | 17V | |
上升时间(tr) | 70ns | |
下降时间 | 40ns | |
工作温度 | -45℃~+125℃@(Tj) |
栅极类型 | IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET |
电流-峰值输出(灌入,拉出) | 400mA,650mA |
高压侧电压-最大值(自举) | 600V |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
工作温度 | -45°C ~ 125°C(TJ) |
驱动配置 | 半桥 |
上升/下降时间(典型值) | 70ns,40ns |
通道类型 | 独立式 |
驱动器数 | 2 |
电压-供电 | 17V(最大) |
逻辑电压?-VIL,VIH | 1.1V,1.8V |
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