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L6389ED

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描述: 高压高侧和低侧驱动器
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: L6389ED
商品编号: C1549545
商品封装: SOIC-8
包装方式: 管装
商品毛重: 0.244克(g)

商品参数

商品概述

一款高压栅极驱动器，采用BCD“离线”技术制造，能够驱动功率MOSFET/IGBT器件组成的半桥电路。高端（浮动）部分可在高达600 V的电压轨下工作。由于集成了互锁功能，两个器件输出端分别可吸收650 mA电流和提供400 mA电流，且不会同时被驱动至高电平。死区时间功能进一步防止了输出端的交叉导通。该器件有两个输入引脚和两个输出引脚，可确保输出与输入同相切换。逻辑输入与CMOS/TTL兼容（3.3 V、5 V和15 V），便于与控制设备连接。驱动器集成了自举二极管，提供了更紧凑可靠的解决方案。该器件在两个电源电压（VCC和VBOOT）上均具备欠压锁定（UVLO）保护功能，可更好地防止电源线电压下降。该器件提供SO - 8管装和卷带封装选项。

商品特性

最高600 V高压轨
全温度范围内dV/dt抗扰度 ± 50 V/nsec
驱动器电流能力：源电流400 mA，灌电流650 mA
带1 nF负载时，上升/下降时间为70/40 nsec
具有迟滞和下拉功能的3.3 V、5 V、15 V CMOS/TTL输入比较器
内部自举二极管
输出与输入同相
死区时间和互锁功能

应用领域

家用电器
工业应用与驱动器
电机驱动器
- 直流、交流、永磁直流和永磁交流电机
感应加热
暖通空调
工厂自动化
照明应用
电源系统

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	650mA

	属性	参数值
	拉电流(IOH)	400mA
	工作电压	17V
	上升时间(tr)	70ns
	下降时间(tf)	40ns
	工作温度	-45℃~+125℃@(Tj)