温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

L6392D

高压高端和低端驱动器

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

描述: L6392是一款采用BCD “离线” 技术制造的高压器件。它是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。高端（浮动）部分设计用于承受高达600 V的电压轨
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: L6392D
商品编号: C1549314
商品封装: SO-14
包装方式: 管装
商品毛重: 0.316667克(g)

商品参数

商品概述

L6392是一款采用BCD“离线”技术制造的高压器件。它是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。高端（浮动）部分设计可承受高达600 V的电压轨。逻辑输入与CMOS/TTL兼容，低至3.3 V，便于与微控制器/DSP接口。该IC集成了一个运算放大器，适用于诸如磁场定向电机控制等应用中的高级电流检测。

商品特性

高达600 V的高压轨
在全温度范围内dV/dt抗扰度 ± 50 V/nsec
驱动器电流能力：
- 源电流290 mA
- 灌电流430 mA
带1 nF负载时，上升/下降时间为75/35 nsec
具有迟滞功能的3.3 V、5 V TTL/CMOS输入
集成自举二极管
用于高级电流检测的运算放大器
可调节死区时间
互锁功能
紧凑且简化的布局
减少物料清单
灵活、简便且快速的设计

应用领域

家用电器、工厂自动化、工业驱动器的电机驱动器
HID镇流器、电源装置

数据手册PDF

放大查看下载PDF

优惠活动

6.4折起

购买数量

(50个/管，最小起订量 1 个)

个

起订量：1 个50个/管

总价金额：

￥ 0.00

近期成交2单

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	IGBT；MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	430mA

	属性	参数值
	拉电流(IOH)	290mA
	工作电压	12.5V~20V
	上升时间(tr)	75ns
	下降时间(tf)	35ns
	工作温度	-40℃~+125℃