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IRS2184SPBF

半桥驱动器

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描述: 是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相关联的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IRS2184SPBF
商品编号: C1549306
商品封装: SOIC-8
包装方式: 管装
商品毛重: 0.001克(g)

商品参数

	属性	参数值
	下降时间(tf)	270ns
	传播延迟 tpLH	680ns
	传播延迟 tpHL	270ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+150℃@(Tj)
	输入高电平(VIH)	2.5V
	输入低电平(VIL)	800mV
	静态电流(Iq)	1mA

商品概述

IRS2184/IRS21844是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，可低至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在将驱动器的交叉导通降至最低。浮动通道可用于驱动高端配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压最高可达600V。

商品特性

浮动通道专为自举操作而设计
可在高达+600V的电压下完全正常工作
耐受负瞬态电压，抗dV/dt干扰
栅极驱动电源范围为10V至20V
双通道均具备欠压锁定功能
兼容3.3V和5V输入逻辑
双通道的传播延迟匹配
逻辑地和功率地之间的偏移为+/-5V
较低的di/dt栅极驱动器，具备更好的抗噪性能
输出源/灌电流能力为1.4A/1.8A
符合RoHS标准

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	1.8A
	拉电流(IOH)	1.4A
	工作电压	10V~20V
	上升时间(tr)	40ns