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IR2011STRPBF
高端和低端驱动器
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- 描述
- 高功率MOS管 半桥式驱动
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IR2011STRPBF
- 商品编号
- C148146
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.226克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边；高边 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 1A | |
| 拉电流(IOH) | 1A | |
| 工作电压 | 10V~20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 35ns | |
| 下降时间(tf) | 20ns | |
| 传播延迟 tpLH | 80ns | |
| 传播延迟 tpHL | 75ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
IR2011是一款高功率、高速功率MOSFET驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低可支持3.0V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。传播延迟经过匹配，便于在高频应用中使用。浮动通道可用于驱动高端配置中的N沟道功率MOSFET，其工作电压最高可达200V。专利的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。
商品特性
- 为自举操作设计的浮动通道
- 最高可在200V下完全正常工作
- 耐受负瞬态电压，抗dV/dt干扰
- 栅极驱动电源范围为10至20V
- 独立的低端和高端通道
- 输入逻辑HIN/LIN高电平有效
- 双通道均具备欠压锁定功能
- 与3.3V和5V逻辑兼容
- 带下拉功能的CMOS施密特触发输入
- 双通道传播延迟匹配
应用领域
- 转换器
- 直流电机驱动