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IRF7424TRPBF
1个P沟道 耐压:30V 电流:11A
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- 描述
- P沟道 -30V -11A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF7424TRPBF
- 商品编号
- C148149
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V,8.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 76pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 410pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 580pF |
商品概述
这些P沟道MOSFET采用先进的加工技术，实现了极低的单位硅面积导通电阻。这一优势为设计人员提供了一种极为高效的器件，适用于电池和负载管理应用。 SO-8封装通过定制化引线框架进行了改进，以增强热特性和多芯片封装能力，使其非常适合各种功率应用。通过这些改进，在应用中可以使用多个器件，同时大幅减少电路板空间。该封装设计适用于气相、红外或波峰焊接技术。
商品特性
~~- 超低导通电阻-表面贴装-提供卷带包装-无铅
应用领域
- 电池和负载管理应用-各种功率应用