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IRF6616TRPBF
1个N沟道 耐压:40V 电流:19A 电流:106A
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- 描述
- N沟道,40V,19A,5mΩ@10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF6616TRPBF
- 商品编号
- C148254
- 商品封装
- DirectFET
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 106A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 89W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.25V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 3.765nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 285pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 560pF |
商品概述
IRF6616将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装相结合，在具有SO - 8封装尺寸且厚度仅为0.7mm的封装中实现了低导通和开关损耗。当遵循应用笔记AN - 1035中的制造方法和工艺时，DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热，可最大限度提高电力系统的热传递效率，将以往最佳热阻降低80%。 IRF6616在低电阻和低电荷之间取得平衡，同时具备超低封装电感，可降低传导和开关损耗。总损耗的降低使该产品非常适合为新一代高频运行处理器供电的高效DC - DC转换器。IRF6616适用于高达100W的次级侧同步整流应用，也可用于一些30V器件无法提供足够电压裕量的非隔离同步降压应用。
商品特性
- 符合RoHS标准,无铅无溴
- 超薄封装(<0.7mm)
- 支持双面散热
- 超低封装电感
- 针对高频开关进行优化
- 低传导和开关损耗
- 与现有表面贴装技术兼容
- 无铅