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IPD053N08N3G
1个N沟道 耐压:80V 电流:90A
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- 描述
- N沟道,80V,90A,5.3mΩ@10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD053N08N3G
- 商品编号
- C148258
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.481克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.3mΩ@10V,90A | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@90uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.75nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 54pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.28nF |
商品特性
- N沟道，常电平
- 出色的栅极电荷x导通电阻RDS(on)乘积（品质因数FOM）
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 工作温度达175°C
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 按照JEDEC标准针对目标应用进行了认证
- 非常适合高频开关和同步整流
- 根据IEC61249 - 2 - 21标准无卤