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BSZ150N10LS3G
1个N沟道 耐压:100V 电流:40A
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- 描述
- N沟道,100V,40A,15mΩ@10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSZ150N10LS3G
- 商品编号
- C148265
- 商品封装
- TSDSON-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 63W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 370pF |
商品特性
- 适用于高频开关
- 针对 DC/DC 转换器优化的技术
- 出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积(品质因数)
- N 沟道、逻辑电平
- 100% 雪崩测试
- 无铅镀层;符合 RoHS 标准
- 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行鉴定
- 根据 IEC61249-2-21 标准无卤