温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BSL215CH6327
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:1.5A
- 描述
- N+P沟道,20V,1.5A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSL215CH6327
- 商品编号
- C150914
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.114克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 346pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 128pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 128pF |
商品特性
- 互补 P + N 沟道
- 增强模式
- 超逻辑电平(额定 2.5V)
- 雪崩额定
- 符合 AEC Q101 标准
- 100% 无铅;符合 RoHS 标准
- 根据 IEC61249 - 2 - 21 标准无卤