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IRF5802TRPBF
1个N沟道 耐压:150V 电流:0.9A
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- 描述
- N沟道,150V,900mA,1.2Ω@10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF5802TRPBF
- 商品编号
- C151501
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 900mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 88pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.7pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低栅极至漏极电荷以降低开关损耗
- 完全表征的电容，包括有效Coss以简化设计
- 完全表征的雪崩电压和电流
- 无铅
- 无卤
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
总价金额：
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