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IPD70R360P7S
耐压:700V 电流:12.5A
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- 描述
- N沟道,700V,12.5A,360mΩ@10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD70R360P7S
- 商品编号
- C151509
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.481克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 59.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 517pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 11pF |
商品特性
- 由于极低的品质因数RDS(on) * Qg和RDS(on) * Eoss,损耗极低
- 优异的热性能
- 集成ESD保护二极管
- 低开关损耗\left(E\text oss \right)
- 适用于标准等级应用
应用领域
- 推荐用于反激式拓扑,例如充电器、适配器、照明应用等。