温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPP60R360P7XKSA1
1个N沟道 耐压:650V 电流:9A
- 描述
- N沟道,650V,9A,360mΩ@10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPP60R360P7XKSA1
- 商品编号
- C152164
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.64克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@10V,2.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 41W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@0.14mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 555pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 10pF |
商品概述
CoolMOS™ 第七代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS™ P7系列是CoolMOS™ P6系列的继任者。它将快速开关超结MOSFET的优势与出色的易用性相结合，例如极低的振铃倾向、体二极管在硬换向时的出色耐用性以及卓越的静电放电（ESD）能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且散热更好。
商品特性
- 由于具有出色的换向耐用性，适用于硬开关和软开关（PFC和LLC）
- 显著降低开关和传导损耗
- 所有产品的ESD耐用性出色，>2kV（HBM）
- 低RDS(on)A（低于1欧姆平方毫米）使RDS(on)/封装产品优于竞争对手
- 拥有丰富的产品组合，可根据JEDEC（J - STD20和JESD22）标准进行精细的RDS(on)选择，适用于各种工业和消费级应用
应用领域
- PFC、硬开关PWM和谐振开关功率级-电脑主机-适配器-LCD和PDP电视-照明-服务器-电信和UPS