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BSZ100N06LS3G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BSZ100N06LS3G

N沟道 耐压:60V 电流:20A

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描述
N沟道,60V,11A,10mΩ@10V
商品型号
BSZ100N06LS3G
商品编号
C152381
商品封装
TSDSON-8FL​
包装方式
编带
商品毛重
0.1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))17.9mΩ@4.5V,20A
耗散功率(Pd)50W
阈值电压(Vgs(th))2.2V@23uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)45nC@10V
输入电容(Ciss)3.5nF
反向传输电容(Crss)24pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)660pF

数据手册PDF

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(5000个/圆盘,最小起订量 1 个)
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