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BSC0901NS
1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 描述
- N沟道,30V,28A,1.9mΩ@10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC0901NS
- 商品编号
- C152424
- 商品封装
- TDSON-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.19克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@4.5V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 69W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 960pF |
商品概述
OptiMOS™ 30V产品是同类领先的功率MOSFET，适用于实现高功率密度和高能效解决方案。在小尺寸封装中具备超低栅极电荷和输出电荷，以及极低的导通电阻，使OptiMOS™ 30V成为服务器、数据通信和电信应用中电压调节器解决方案严苛要求的最佳选择。超快开关控制FET与低电磁干扰同步FET相结合，提供易于设计的解决方案。OptiMOS™产品采用高性能封装，可应对最具挑战性的应用，在优化空间、效率和成本方面提供充分的灵活性。OptiMOS™产品旨在满足并超越计算应用中下一代更严格的电压调节标准对能效和功率密度的要求。
商品特性
- 针对高性能降压转换器进行优化
- 100%雪崩测试
- 在VGS = 4.5 V时导通电阻RDS(on)极低
- N沟道
- 针对目标应用通过JEDEC认证
- 卓越的热阻
- 无铅电镀；符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准无卤
应用领域
- 服务器板载电源-高性能计算电源管理-同步整流-高功率密度负载点转换器