温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRF7504TRPBF
2个P沟道 耐压:20V 电流:1.7A
SMT扩展库PCB免费打样
- 描述
- 双P沟道,20V,1.7A,270mΩ@4.5V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF7504TRPBF
- 商品编号
- C152438
- 商品封装
- MSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.133516克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@2.7V,0.60A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 240pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品概述
第五代HEXFET采用先进的加工技术，在单位硅片面积上实现极低的导通电阻。这一优势，结合HEXFET功率MOSFET所闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。 新型Micro8封装的占位面积仅为标准SO - 8封装的一半，是SOIC外形中占位面积最小的封装。这使得Micro8成为印刷电路板空间有限应用场景的理想选择。Micro8的低外形（<1.1毫米）使其能够轻松适配超薄应用环境，如便携式电子产品和PCMCIA卡。
商品特性
- 超低导通电阻
- 超小SOIC封装
- 低外形（<1.1毫米）
- 快速开关
- 无铅