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IPN70R900P7S实物图
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IPN70R900P7S

1个N沟道 耐压:700V 电流:3.5A

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描述
N沟道,10V,6A,900mΩ@10V
商品型号
IPN70R900P7S
商品编号
C152662
商品封装
SOT-223​
包装方式
编带
商品毛重
0.183克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)700V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))900mΩ@10V,1.1A
耗散功率(Pd)6.5W
阈值电压(Vgs(th))3V@0.06mA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)6.8nC@10V
输入电容(Ciss)211pF
反向传输电容(Crss)-
工作温度-40℃~+150℃
类型-
输出电容(Coss)5pF

数据手册PDF

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(3000个/圆盘,最小起订量 1 个)
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