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IR2102STRPBF

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描述: IR2101(S)/IR2102(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闭锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IR2102STRPBF
商品编号: C152687
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.275克(g)

商品参数

商品概述

IR2101(S)/IR2102(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压高达600V。

商品特性

浮动通道专为自举操作设计，可在高达+600V的电压下完全正常工作，耐受负瞬态电压，抗dV/dt干扰
栅极驱动电源范围为10至20V
欠压锁定
与3.3V、5V和15V逻辑输入兼容
两个通道的传播延迟匹配
输出与输入同相（IR2101）或反相（IR2102）
也提供无铅版本

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	IGBT；MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	270mA
	拉电流(IOH)	130mA
	工作电压	10V~20V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	100ns
	下降时间(tf)	50ns
	传播延迟 tpLH	160ns
	传播延迟 tpHL	150ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+150℃@(Tj)
	静态电流(Iq)	150uA