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1EDN7512B

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描述: 1EDN7x/1EDN8x 是一款先进的单通道驱动器。它适用于驱动逻辑电平和普通电平 MOSFET，支持 OptiMOS、CoolMOS、标准电平 MOSFET、超结 MOSFET，以及 IGBT 和 GaN 功率器件。控制和使能输入与 LV-TTL 兼容（CMOS 3.3 V），输入电压范围为 -5 V 至 +20 V
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: 1EDN7512B
商品编号: C153236
商品封装: SOT-23-5
包装方式: 编带
商品毛重: 0.25克(g)

商品参数

商品概述

1EDN7x/1EDN8x是一款先进的单通道驱动器。它适用于驱动逻辑电平和普通电平的MOSFET，支持OptiMOS、CoolMOS、标准电平MOSFET、超结MOSFET，以及IGBT和GaN功率器件。控制和使能输入与LV-TTL兼容（CMOS 3.3 V），输入电压范围为 -5 V至 +20 V。-10 V的输入引脚鲁棒性可保护驱动器免受寄生接地电感引起的闩锁或电气过应力影响，大大提高了系统稳定性。 4.2 V和8 V的欠压锁定（UVLO）选项可确保MOSFET和GaN器件在异常情况下得到即时保护。在此情况下，该UVLO机制可独立于其他监控电路是否以及何时检测到异常情况，提供关键保护。输出端采用真正的轨到轨级电路，能够吸收8 A电流并提供4 A电流。这确保了正向导通电阻低至0.85 Ω，负向导通电阻低至0.35 Ω。业界领先的反向电流鲁棒性消除了在输出端使用肖特基二极管的需求，降低了物料清单成本。 1EDN系列的引脚排列与行业标准兼容。三种封装形式，即SOT23 6引脚、5引脚和WSON 6引脚，可优化PCB板的空间使用和热特性。

商品特性

5 ns的压摆率，支持高速超结MOSFET（如CoolMos C7）或GaN器件
19 ns的传播延迟精度，实现MOSFET和GaN的快速开关
8 A吸收和4 A输出的驱动能力，可实现高效应用的快速开关，并驱动低阻值MOSFET
行业标准封装和引脚排列，便于系统设计升级
4.2 V和8 V的欠压锁定（UVLO）选项，确保MOSFET在异常情况下得到即时保护
-10 V的输入电压能力，在通过脉冲变压器驱动器件时提供鲁棒性和关键安全裕量
5 A的反向电流鲁棒性，无需输出保护电路

应用领域

服务器开关电源（SMPS）
电信开关电源
DC-DC转换器模块
电动工具
工业开关电源
电机控制

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	1
	灌电流(IOL)	8A
	拉电流(IOH)	4A
	工作电压	4.5V~20V
	上升时间(tr)	6.5ns

	属性	参数值
	下降时间(tf)	4.5ns
	传播延迟 tpLH	19ns
	传播延迟 tpHL	19ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+150℃
	输入高电平(VIH)	1.9V~2.3V
	输入低电平(VIL)	800mV~1.2V