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IRF6648TRPBF
1个N沟道 耐压:60V 电流:86A
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- 描述
- N沟道,60V,86A,7mΩ@10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF6648TRPBF
- 商品编号
- C153240
- 商品封装
- DirectFET
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 86A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V,17A | |
| 耗散功率(Pd) | 89W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.9V@150uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.12nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 2.45nF |
商品概述
IRF6648PbF将最新的HEXFET®功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET™封装相结合，在具有SO - 8封装尺寸且高度仅为0.7mm的封装中实现了最低的导通电阻。DirectFET™封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET™封装支持双面散热，可最大限度地提高电源系统的热传递效率，将此前最佳的热阻降低了80%。 IRF6648PbF是用于输出电压为5 - 12V的同步整流电路的优化开关，也非常适合用作输入电压为24V的正激转换器的初级侧开关。该器件降低的总损耗与高水平的热性能相结合，可实现高效率和低温运行，这对于提高系统可靠性至关重要，使其成为高性能应用的理想之选。
商品特性
- 符合RoHS标准
- 无铅（可承受高达260°C的回流焊）
- 专用MOSFET
- 针对5V至12V输出的同步整流进行优化
- 低传导损耗
- 非常适合24V输入的初级侧正激转换器
- 低外形（<0.7mm）
- 支持双面散热
- 与现有的表面贴装技术兼容