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BSC16DN25NS3G
1个N沟道 耐压:250V 电流:10.9A
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- 描述
- N沟道,250V,10.9A,165mΩ@10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC16DN25NS3G
- 商品编号
- C152667
- 商品封装
- TDSON-8-EP(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 165mΩ@10V,5.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@32uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 920pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 59pF |
优惠活动
购买数量
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起订量：1 个5000个/圆盘
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