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IPP65R310CFD
1个N沟道 耐压:650V 电流:11.4A
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- 描述
- N沟道,650V,11.4A,310mΩ@10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPP65R310CFD
- 商品编号
- C152676
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.64克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 310mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 104.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
商品概述
CoolMOS是高压功率MOSFET的一项革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与卓越创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优势，同时提供极快速且坚固的体二极管。极低的开关、换相和传导损耗与极高的坚固性相结合，使谐振开关应用尤其可靠、高效、轻便且散热良好。
商品特性
- 超快体二极管
- 极高的换相耐用性
- 由于极低的品质因数Rdson*Qg和Eoss,损耗极低
- 易于使用/驱动
- 按照JEDEC(J - STD20和JESD22)标准适用于工业级应用
- 无铅镀层,无卤模塑料
应用领域
- 650V CoolMOS CFD2特别适用于谐振开关PWM级,例如PC电源、液晶电视、照明、服务器和电信领域。