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IPN70R1K4P7S
1个N沟道 耐压:700V 电流:4A
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- 描述
- N沟道,10V,4A,1.4Ω@10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPN70R1K4P7S
- 商品编号
- C152684
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.183克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 6.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 158pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 3pF |
商品概述
CoolMOS是高压功率MOSFET的一项革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS P7是一个经过优化的平台，专为消费市场中对成本敏感的应用而定制，如充电器、适配器、照明、电视等。该新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优势，同时拥有出色的性价比和一流的易用性。这项技术符合最高效率标准，支持高功率密度，使客户能够实现非常纤薄的设计。
商品特性
- 由于极低的品质因数RDS(on) * Qg和RDS(on) * Eoss,损耗极低
- 出色的热性能
- 集成ESD保护二极管
- 低开关损耗(Eoss)
- 适用于标准等级应用
应用领域
- 充电器中使用的反激式拓扑
- 适配器中使用的反激式拓扑
- 照明应用中使用的反激式拓扑