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IPN60R360P7S
1个N沟道 耐压:600V 电流:9A
- 描述
- N沟道,10V,9A,360mΩ@10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPN60R360P7S
- 商品编号
- C152679
- 商品封装
- SOT-223-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.183克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 555pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 10pF |
商品概述
CoolMOS第七代平台是一项用于高压功率MOSFET的革命性技术，它依据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列融合了领先的SJMOSFET供应商的经验与一流的创新技术，是唯一能够实现RDS(on)A低于1欧姆平方毫米的平台。600V CoolMOS P7系列是CoolMOS P6系列的继任者，在不牺牲易用性的同时，继续提供快速开关SJ MOSFET的所有优势。极低的开关和导通损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且散热更好。
商品特性
- 适用于硬开关和软开关(PFC和LLC)
- 集成栅极电阻,可在效率和易用性之间实现出色平衡
- RDS(on)A低于1欧姆平方毫米,可实现低RDSON/封装
- 180毫欧及以上的ESD二极管
- 该系列产品已根据JEDEC(J - STD20和JESD22)标准通过多种工业和消费级应用的认证
应用领域
- PFC级
- 硬开关PWM级
- 谐振开关级,例如用于PC主机、适配器、液晶和等离子电视、照明、服务器、电信和UPS