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IPN60R3K4CE
1个N沟道 耐压:650V 电流:1.6A
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- 描述
- N沟道,600V,2.6A,3.4Ω@10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPN60R3K4CE
- 商品编号
- C152673
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.183克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.4Ω@10V,0.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 93pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF@100V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
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