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IPN60R3K4CE
1个N沟道 耐压:600V 电流:2.6A
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- 描述
- N沟道,600V,2.6A,3.4Ω@10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPN60R3K4CE
- 商品编号
- C152673
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.183克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 93pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术，它是根据超结（SJ）原理设计的。CoolMOS CE是一个经过性价比优化的平台，能够满足消费和照明市场对成本敏感的应用需求，同时仍符合最高效率标准。该新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，且不牺牲易用性，提供了市场上最佳的降本性能比。
商品特性
-由于极低的品质因数Rdson*Qg和Eoss,损耗极低-极高的换向鲁棒性-易于使用/驱动-无铅镀层,无卤模塑料-适用于标准等级应用
应用领域
-适配器-充电器-照明