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IPN60R600P7S
1个N沟道 耐压:600V 电流:6A
- 描述
- N沟道,10V,6A,600mΩ@10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPN60R600P7S
- 商品编号
- C152668
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.183克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V,1.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@0.08mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 363pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
CoolMOS第七代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，它依据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列融合了领先的超结MOSFET供应商的经验与一流的创新技术，是唯一能实现RDS(on)*A低于1欧姆·平方毫米的平台。600V CoolMOS P7系列是CoolMOS P6系列的继任者，在不牺牲易用性的同时，延续了快速开关超结MOSFET的所有优势。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且散热性能更好。
商品特性
- 适用于硬开关和软开关（PFC和LLC）
- 集成栅极电阻，实现效率与易用性的出色平衡
- RDS(on)*A低于1欧姆·平方毫米，可实现低RDSON/封装
- 180毫欧及以上的ESD二极管
- 该系列产品根据JEDEC（J - STD20和JESD22）标准，适用于多种工业和消费级应用
应用领域
- PFC级-硬开关PWM级-谐振开关级,例如用于PC主机、适配器、液晶和等离子电视、照明、服务器、电信和UPS