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IRL530NSTRLPBF
1个N沟道 耐压:100V 电流:17A
- 描述
- N沟道,100V,17A,100mΩ@10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRL530NSTRLPBF
- 商品编号
- C152446
- 商品封装
- TO-263-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@4V,8.0A | |
| 耗散功率(Pd) | 79W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品概述
第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET广为人知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计师提供了一种极其高效可靠的器件，适用于各种应用场景。 D²Pak是一种表面贴装功率封装，能够容纳尺寸达HEX - 4的芯片。它在现有的任何表面贴装封装中，具备最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D²Pak适用于大电流应用，在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0W的功率。 通孔版本（IRL530NL）适用于薄型应用。
商品特性
- 先进的工艺技术
- 表面贴装（IRL530NS）
- 薄型通孔（IRL530NL）
- 175°C工作温度
- 快速开关
- 全雪崩额定
- 无铅