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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BSO201SPH

1个P沟道 耐压:20V 电流:12A

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描述
P沟道,20V,12A,8mΩ@4.5V
商品型号
BSO201SPH
商品编号
C152619
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.275克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)14.9A
导通电阻(RDS(on))12.9mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th))1.2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)88nC@4.5V
输入电容(Ciss)9.6nF
反向传输电容(Crss)2.55nF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)3.15nF

商品特性

  • SO8封装单P沟道器件
  • 针对目标应用符合JEDEC标准
  • 工作温度达150°C
  • 超级逻辑电平(额定2.5V)
  • 无铅镀层;符合RoHS标准
  • 根据IEC61249-2-21标准无卤素

数据手册PDF