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IRFR9N20DTRPBF
1个N沟道 耐压:200V 电流:9.4A
- 描述
- N沟道,200V,9.4A,380mΩ@10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFR9N20DTRPBF
- 商品编号
- C152620
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.481克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 86W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 670pF |
商品特性
- 低栅极至漏极电荷,可降低开关损耗
- 完整表征的电容,包括有效输出电容COSS,简化设计
- 完整表征的雪崩电压和电流
应用领域
- 高频DC-DC转换器
- 电信48V输入正激转换器