温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRFH8334TRPBF
1个N沟道 耐压:30V 电流:25A
- 描述
- 特性：低热阻至PCB (< 4.1℃/W)。 低外形 (< 1.2mm)。 行业标准引脚排列。 与现有表面贴装技术兼容。 符合RoHS标准，无铅、无溴、无卤素。 MSL1，消费级认证。应用：高频降压转换器的控制MOSFET
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFH8334TRPBF
- 商品编号
- C152623
- 商品封装
- PQFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.203675克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.35V@25uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.18nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 260pF |
交货周期
订货1-3个工作日购买数量
(4000个/圆盘，最小起订量 50 个)个
起订量：50 个4000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交3单