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BSC026NE2LS5
1个N沟道 耐压:25V 电流:82A
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- 描述
- N沟道,25V,24A,2.6mΩ@10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC026NE2LS5
- 商品编号
- C152643
- 商品封装
- TDSON-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 82A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 29W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF@12V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 530pF |
商品特性
- 针对5V驱动应用（笔记本电脑、VGA、负载点电源）进行优化
- 针对高频开关电源（SMPS）具有低开关品质因数（FOMsw）
- 经过100%雪崩测试
- N沟道
- 当栅源电压（VGS） = 4.5 V时，漏源导通电阻（RDS(on)）极低
- 栅极电荷与漏源导通电阻（RDS(on)）的乘积（品质因数FOM）表现出色
- 符合JEDEC标准，适用于目标应用
- 具有出色的热阻特性
- 无铅镀层；符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品