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IPB65R310CFD

650V CoolMOS CFD2功率晶体管

描述
CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点,同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与高耐用性相结合,使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。
商品型号
IPB65R310CFD
商品编号
C152418
商品封装
TO-263​
包装方式
编带
商品毛重
1.9345克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)11.4A
导通电阻(RDS(on))310mΩ@10V
耗散功率(Pd)104.2W
阈值电压(Vgs(th))4.5V@0.4mA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)41nC@10V
输入电容(Ciss)1.1nF@100V
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型-
输出电容(Coss)-

数据手册PDF

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(1000个/圆盘,最小起订量 1 个)
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