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IPD60R450E6ATMA1
1个N沟道 耐压:600V 电流:9.2A
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- 描述
- N沟道,600V,9.2A,450mΩ@10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD60R450E6ATMA1
- 商品编号
- C152395
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.481克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@10V,3.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 74W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@0.28mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 620pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 41pF |
商品概述
CoolMOS™ 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。CoolMOS™ E6 系列融合了领先 SJ MOSFET 供应商的经验与卓越创新。所提供的器件在不牺牲易用性的前提下，具备快速开关 SJ MOSFET 的所有优势。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且散热更好。
商品特性
- 由于极低的品质因数 Rdson*Qg 和 Eoss，损耗极低
- 极高的换向耐用性
- 易于使用/驱动
- 通过 JEDEC 认证，无铅电镀，无卤
应用领域
- 如 PC 主机、适配器、液晶和等离子电视、照明、服务器、电信和 UPS 等设备的 PFC 级、硬开关 PWM 级和谐振开关 PWM 级。