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IRF8714PBF实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRF8714PBF

1个N沟道 耐压:30V 电流:14A

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描述
N沟道,30V,14A,8.7mΩ@10V
商品型号
IRF8714PBF
商品编号
C152209
商品封装
SOIC-8​
包装方式
管装
商品毛重
0.275克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)14A
导通电阻(RDS(on))13mΩ@4.5V,11A
耗散功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th))2.35V@25uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)12nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.02nF
反向传输电容(Crss)110pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)220pF

商品概述

IRF8714PbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术集成到行业标准的SO-8封装中。IRF8714PbF针对同步降压操作中的关键参数(包括Rds(on)和栅极电荷)进行了优化,以降低传导损耗和开关损耗。总损耗的降低使该产品非常适合为笔记本电脑和网络通信应用中的新一代处理器供电的高效DC-DC转换器。

商品特性

  • 极低的栅极电荷
  • 在4.5V VGS时具有极低的RDS(on)
  • 超低的栅极阻抗
  • 雪崩电压和电流特性完全表征
  • 最大栅极额定电压为20V VGS
  • 100%测试Rg
  • 无铅

应用领域

  • 用于笔记本电脑处理器供电的同步降压转换器的控制MOSFET
  • 网络系统中隔离式DC-DC转换器的控制MOSFET

数据手册PDF